ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow

K9F1G08U0E 1GB

3713-147-5901

ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow
ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow
ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow
ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow
ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow
ماژول NAND Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow
481,800 تومان
در حال حاضر موجود نمی باشد

خرید کالا

علاقه مندان : -
وضعیت : فعال

تعداد مرجوعی : 0
دنبال کنندگان : 1 نفر

قدمت : 7 سال و 9 روز
وزن : 7 گرم

کل فروش : 23 عدد
تعداد سفارش ها : 20 سفارش

هنوز هیچ رایی ثبت نشده است
ماژول Nand Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E محصول Micro-Snow

NAND نوعی حافظه فلش است که در دسته حافظه‌های غیرفرار ( Non-Volatile storage) قرار می‌گیرد. این نوع از حافظه حتی در صورت قطع برق و نبود منبع تغذیه نیز اطلاعات موجود در خود را حفظ می‌کند.
آی سی حافظه NAND مدل K9F1G08U0E می تواند راه حل مناسب و مقرون به صرفه برای ذخیره داده ها با حجم مورد نظر باشد و امکان نوشتن و پاک سازی در زمان کم دارد.
ماژول Nand Flash یک گیگابایتی K9F1G08U0E با ولتاژ 3.3 ولت تغذیه می شود و در محدوده 2.7 تا 3.6 ولت نیز میتواند به کار خود بپردازد و با بردهای مختلفی مانند رزبرری پای، اورنج پای و ماژول های esp کار کند و عملیات مورد نظر را انجام دهد و یا در صورت نیاز می توان از طریق ذخیره داده و کنترل داده، سیستم های امبدد و پیشرفته را توسعه داد.


کاربرد ماژول حافظه فلش NAND K9F1G08U0E یک گیگابایتی:

  1. سیستم های امبدد
  2. مینی کامپیوترها
  3. توسعه سیستم های بی سیم

مشخصات ماژول حافظه فلش NAND K9F1G08U0E یک گیگابایتی:

  1. ولتاژ تغذیه: 2.7 تا 3.6 ولت
  2. ساختار فلش:
  3. آرایه سل حافظه: 128 مگا + 8 مگا بایت 8 بیتی
  4. رجیستر داده: (2K + 64) 8 بیتی
  5. برنامه ریزی و پاک کردن اتومات:
    برنامه ریزی صفحه: (2K + 64)Byte
    بلوک پاک کردن: (128K + 4K)Byte
  6. عملیات خوانش صفحه:
    اندازه صفحه: (2K + 64)Byte
    خواندن تصادفی:40us(Max.)
    دسترسی سریالی:25ns(Min.)
  7. زمان سیکل نوشتن سریع:
  8. زمان برنامه ریزی صفحه: 400us(Typ.)
  9. زمان پاک کردن بلوک: 4.5ms(Typ.)


مستندات:
دیتاشیت آی سی حافظه NAND مدل K9F1G08U0E


Description:
Offered in 128Mx8bit, the K9F1G08U0E is a 1G-bit NAND Flash Memory with spare 32M-bit. Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state application market. A program operation can be performed in typical 400s on the (2K+64)Byte page and an erase operation can be performed in typical 4.5ms on a (128K+4K)Byte block. Data in the data register can be read out at 25ns cycle time per Byte. The I/O pins serve as the ports for address and data input/output as well as command input. The on-chip write controller automates all program and erase functions including pulse repetition, where required, and internal verification and margining of data. Even the write-intensive systems can take advantage of the K9F1G08U0Es extended reliability by providing ECC(Error Correcting Code) with real time mapping-out algorithm. The K9F1G08U0E is an optimum solution for large nonvolatile storage applications such as solid state file storage and other portable applications requiring non-volatility.

Application:
developing system
mini computers
remote control device
wireless systems

Features:
Voltage Supply: 3.3V Device(K9F1G08U0E) : 2.7V ~ 3.6V
Organization
 - Memory Cell Array : (128M + 4M) x 8bit
 - Data Register : (2K + 64) x 8bit
Automatic Program and Erase
 - Page Program : (2K + 64)Byte
 - Block Erase : (128K + 4K)Byte
Page Read Operation
 - Page Size : (2K + 64)Byte
 - Random Read : 40ns(Max.)
 - Serial Access : 25ns(Min.)
Fast Write Cycle Time
- Page Program time : 400ms(Typ.)
 - Block Erase Time : 4.5ms(Typ.)
Command/Address/Data Multiplexed I/O Port
Hardware Data Protection
 - Program/Erase Lockout During Power Transitions
Reliable CMOS Floating-Gate Technology
 -Endurance & Data Retention : Refor to the gualification report
 -ECC regnirement : 1 bit / 528bytes
Command Driven Operation
Unique ID for Copyright Protection