موجودی انبار : 271 عدد
4 از 5.0 با 6 رای
ماسفت D1703 با ساختار TO-252 - ترانزیستور برای مدارهای سوئیچینگ
توجه : این کالا شامل مرجوعی نمی باشد . مارکاژ روی قطعه به صورت متفاوت چاپ شده است.
ماسفت قدرت D1703 یک ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) از نوع کانال N است که برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت و کنترل توان در مدارهای الکترونیکی طراحی شده است. این ماسفت برای سوئیچینگ قدرت بهینه‌سازی شده و با مشخصاتی مانند مقاومت روشنایی (Rds(on)) پایین، ظرفیت گیت کم، و سرعت سوئیچینگ بالا، گزینه‌ای ایده‌آل برای مدارهای تغذیه سوئیچینگ، مبدل‌های DC-DC، درایورهای موتور و سیستم‌های مدیریت توان می‌باشد.
ماسفت D1703 با ساختار TO-252 (DPAK) ارائه شده است که یک پکیج SMD کم‌حجم با توانایی دفع حرارت بالا محسوب می‌شود. این ویژگی موجب کاهش تلفات حرارتی و افزایش بازدهی در سیستم‌های قدرت می‌گردد. ساختار نیمه‌هادی این ماسفت باعث کاهش زمان روشن و خاموش شدن آن شده و بهره‌وری عملکردی را در بارهای دینامیکی بالا تضمین می‌کند.
به عنوان یک ترانزیستور برای مدارهای سوئیچینگ، ماسفت D1703 قادر به تحمل ولتاژ و جریان بالا بوده و در شرایط کاری سخت، پایداری عملکرد بالایی را ارائه می‌دهد. این ماسفت در فرکانس‌های کاری بالا، کمترین تلفات کلیدزنی را ایجاد کرده و با قابلیت کاهش EMI (تداخل الکترومغناطیسی)، یک گزینه مناسب برای طراحی سیستم‌های الکترونیک صنعتی و توان بالا محسوب می‌شود
کاربرد :
- منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) – مبدل‌های AC-DC و DC-DC
- درایورهای موتور – کنترل سرعت و توان موتورهای الکتریکی
- مدارهای کنترل توان – بهینه‌سازی مصرف انرژی در سیستم‌های قدرت
- مدارهای اینورتر و UPS – تبدیل و تثبیت ولتاژ در سیستم‌های پشتیبان انرژی
- مدارهای رگولاتور ولتاژ – تثبیت ولتاژ در تجهیزات الکترونیکی حساس
- سیستم‌های مدیریت باتری (BMS) – افزایش طول عمر و کارایی باتری
مشخصات فنی با توجه به دیتاشیت :
- مشخصات فنی MOSFET مدل D1703 TO-252:
- نوع ترانزیستور: N-Channel Logic Level Enhancement Mode
- ولتاژ شکست در بین درین-سورس (Vds): 60 ولت
- جریان درین پیوسته (Id): 46 آمپر
- مقاومت درین-سورس در حالت روشن (Rds(on)): 17 میلی‌اهم
- ولتاژ آستانه گیت-سورس (Vgs(th)): 0.8 تا 2.5 ولت
- ظرفیت ورودی (Ciss): 2500 پیکوفاراد
- ظرفیت خروجی (Coss): 600 پیکوفاراد
- ظرفیت معکوس انتقال (Crss): 250 پیکوفاراد
- تأخیر روشن شدن (td(on)): 22 نانوثانیه
- زمان افزایش جریان (tr): 55 نانوثانیه
- تأخیر خاموش شدن (td(off)): 35 نانوثانیه
- زمان کاهش جریان (tf): 55 نانوثانیه
- توان مصرفی (Ptot): 140 وات
- ولتاژ درگاه-سورس حداقل (Vgs max): ±20 ولت
- دما در حین عملیات: -55 تا 150 درجه سلسیوس
- دمای لحیم‌کاری: 275 درجه سلسیوس (10 ثانیه)
- جریان معکوس دیود (Is): 37 آمپر
- ولتاژ افت Forward دیود (Vsd): 1.3 ولت
- ولتاژ معکوس بازگشتی دیود (Vrr): 600 میلی‌آمپر
- انرژی تگرگ تکراری (EAS): 250 میلی‌ژول
این مشخصات شامل ویژگی‌های اصلی و پارامترهای مهم برای انتخاب و استفاده از MOSFET D1703 می‌باشد.
امکانات :
- سطح ولتاژ پایین در درگاه (Logic Level)
- جریان بالا (46 آمپر)
- مقاومت پایین در حالت روشن (Rds(on) = 17 میلی‌اهم)
- ولتاژ شکست بالا (60 ولت)
- زمان سوئیچینگ سریع (22 نانوثانیه روشن، 55 نانوثانیه خاموش)
- توان مصرفی بالا (140 وات)
مستندات:
دریافت دیتاشیت
Description:
The D1703 power MOSFET is an N-channel field-effect transistor (MOSFET) designed for power switching applications and power control in electronic circuits. This MOSFET is optimized for power switching with features such as low on-resistance (Rds(on)), low gate capacitance, and high switching speed, making it an ideal choice for switch-mode power supplies, DC-DC converters, motor drivers, and power management systems.
The D1703 MOSFET is provided in a TO-252 (DPAK) package, which is a compact SMD package with high heat dissipation capabilities. This feature reduces thermal losses and increases efficiency in power systems. The semiconductor structure of this MOSFET reduces its turn-on and turn-off time, ensuring high performance in dynamic loads.
As a transistor for switching circuits, the D1703 MOSFET can handle high voltage and current, offering excellent operational stability even in harsh working conditions. It produces minimal switching losses at high frequencies and, with its capability to reduce EMI (electromagnetic interference), is a suitable choice for designing industrial and high-power electronic systems.
Applications:
Switch-mode power supplies (SMPS) – AC-DC and DC-DC converters
Motor drivers – controlling speed and power of electric motors
Power control circuits – optimizing energy consumption in power systems
Inverter and UPS circuits – converting and stabilizing voltage in backup energy systems
Voltage regulator circuits – stabilizing voltage in sensitive electronic equipment
Battery management systems (BMS) – improving battery lifespan and efficiency
Technical Specifications (according to the datasheet):
Transistor Type: N-Channel Logic Level Enhancement Mode
Breakdown Voltage (Vds): 60V
Continuous Drain Current (Id): 46A
On-Resistance (Rds(on)): 17 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)): 0.8V to 2.5V
Input Capacitance (Ciss): 2500pF
Output Capacitance (Coss): 600pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss): 250pF
Turn-On Delay (td(on)): 22ns
Rise Time (tr): 55ns
Turn-Off Delay (td(off)): 35ns
Fall Time (tf): 55ns
Total Power Dissipation (Ptot): 140W
Max Gate-Source Voltage (Vgs max): ±20V
Operating Temperature: -55 to 150°C
Soldering Temperature: 275°C (10 seconds)
Diode Reverse Current (Is): 37A
Diode Forward Voltage (Vsd): 1.3V
Diode Reverse Recovery Voltage (Vrr): 600mA
Repetitive Avalanche Energy (EAS): 250mJ
These specifications include the main features and important parameters for selecting and using the MOSFET D1703.
Features:
Low Gate Voltage Level (Logic Level)
High Current (46A)
Low On-Resistance (Rds(on) = 17mΩ)
High Breakdown Voltage (60V)
Fast Switching Time (22ns turn-on, 55ns turn-off)
High Power Dissipation (140W)