ماسفت FDN306P دارای پکیج SOT23 - بسته 4 عددی

FDN306P

6178-335-10027

19,350 تومان
کالا موجود است
موجودی انبار : 64 عدد


خرید کالا


علاقه مندان : -
وضعیت : فعال

تعداد مرجوعی : 0
دنبال کنندگان : 2 نفر

قدمت : 5 سال و 6 ماه و 22 روز
وزن : 2 گرم

کل فروش : 580 عدد
تعداد سفارش ها : 153 سفارش

3 از 5.0 با 1 رای
ماسفت FDN306P یک ترانزیستور P‑کانال است که ولتاژ کاری کانال آن 12 ولت و جریان حداکثر کانال 2.6 آمپر است. این ماسفت به طور ویژه برای مدیریت انرژی، حفاظت از باتری و سوئیچ بار در مدارهای میکروکنترلری بهینه شده است. مقاومت کانال روشن آن بسته به ولتاژ گیت تغییر می کند و به عنوان مثال در ولتاژ گیت -1.8 ولت مقاومت کانال برابر 80 میلی اهم است. طراحی SuperSOT-3 مقاومت کانال روشن پایین و توان تحمل بالاتر نسبت به پکیج SOT23 معمولی ارائه می نماید و نصب آن در بردهای جمع و جور آسان است.

پکیج کوچک SOT-23 باعث می شود ماسفت P‑کانال 12 ولت در فضاهای محدود جایگذاری شود و اتلاف حرارت به حداقل برسد. سرعت سوئیچینگ بالا و توان مصرفی 0.5 وات باعث می شود این ماسفت در مدارهای حساس به مصرف انرژی عملکرد مطلوبی داشته باشد. ویژگی هایی مانند مقاومت پایین کانال روشن و سرعت سوئیچینگ بالا باعث کاهش افت ولتاژ و تلفات انرژی در مدار می شود و عملکرد سیستم را بهبود می بخشد.

از جمله کاربردهای مهم این ماسفت می توان به کاربرد FDN306P در پروژه های STM32/ESP32 اشاره کرد که در مدارهای میکروکنترلری برای کنترل جریان و محافظت از سلول های باتری استفاده می شود. این ماسفت یک گزینه ایده آل برای مدارهای باتری محور و دستگاه های قابل حمل است که نیاز به کنترل دقیق جریان و عملکرد پایدار دارند.

در نهایت، ماسفت ماسفت FDN306P یا به طور کامل ماسفت P‑کانال FDN306P با جریان مناسب، ولتاژ کاری 12 ولت و پکیج جمع و جور SOT-23، محصولی مطمئن، کارآمد و قابل اعتماد برای انواع مدارهای الکترونیکی با محدودیت فضا و مصرف انرژی به شمار می رود.

توجه : این کالا شامل مرجوعی نمیباشد

کاربرد :

  1. مدیریت باتری
  2. حفاظت از باتری
  3. سوئیچ بار
  4. مدارهای میکروکنترلری STM32/ESP32
  5. مدارهای شارژر و پاور بانک
  6. کنترل جریان در دستگاه های قابل حمل

مشخصات فنی ماسفت FDN306P :

  1. ولتاژ کاری کانال (VDSS) : 12 ولت
  2. جریان کانال حداکثر (ID) : 2.6 آمپر
  3. مقاومت کانال روشن (RDS(on)) : 40 میلی اهم @ VGS = -4.5 ولت
  4. مقاومت کانال روشن (RDS(on)) : 50 میلی اهم @ VGS = -2.5 ولت
  5. مقاومت کانال روشن (RDS(on)) : 80 میلی اهم @ VGS = -1.8 ولت
  6. ولتاژ گیت برای روشن شدن کانال (VGS(th)) : -0.6 ولت
  7. توان مصرفی حداکثر (PD) : 0.5 وات
  8. دمای کاری و ذخیره سازی (TJ , TSTG) : -55 تا +150 درجه سانتی گراد
  9. مقاومت حرارتی اتصال به محیط (RJA) : 250 درجه سانتی گراد بر وات
  10. مقاومت حرارتی اتصال به کیس (RJC) : 75 درجه سانتی گراد بر وات
  11. ظرفیت ورودی (Ciss) : 1138 پیکو فاراد
  12. ظرفیت خروجی (Coss) : 454 پیکو فاراد
  13. ظرفیت انتقال معکوس (Crss) : 302 پیکو فاراد
  14. زمان تاخیر روشن شدن (td(on)) : 11 تا 20 نانو ثانیه
  15. زمان افزایش روشن شدن (tr) : 10 تا 20 نانو ثانیه
  16. زمان تاخیر خاموش شدن (td(off)) : 38 تا 61 نانو ثانیه
  17. زمان افت خاموش شدن (tf) : 35 تا 56 نانو ثانیه
  18. بار گیت کل (Qg) : 12 تا 17 نانو کولن
  19. بار گیت به سورس (Qgs) : 2 نانو کولن
  20. بار گیت به درین (Qgd) : 3 نانو کولن
  21. جریان دیود درین-سورس حداکثر (IS) : 0.42 آمپر
  22. ولتاژ دیود درین-سورس (VSD) : 0.6 تا 1.2 ولت
  23. پکیج : SOT-23
  24. تکنولوژی ساخت : Trench با قابلیت سوئیچینگ سریع و مقاومت کم کانال روشن

مستندات:
جهت دریافت دیتاشیت به این لینک مراجعه نمایید.