ماسفت FDN306P یک ترانزیستور P‑کانال است که ولتاژ کاری کانال آن 12 ولت و جریان حداکثر کانال 2.6 آمپر است. این ماسفت به طور ویژه برای مدیریت انرژی، حفاظت از باتری و سوئیچ بار در مدارهای میکروکنترلری بهینه شده است. مقاومت کانال روشن آن بسته به ولتاژ گیت تغییر می کند و به عنوان مثال در ولتاژ گیت -1.8 ولت مقاومت کانال برابر 80 میلی اهم است. طراحی SuperSOT-3 مقاومت کانال روشن پایین و توان تحمل بالاتر نسبت به پکیج SOT23 معمولی ارائه می نماید و نصب آن در بردهای جمع و جور آسان است.
پکیج کوچک SOT-23 باعث می شود ماسفت P‑کانال 12 ولت در فضاهای محدود جایگذاری شود و اتلاف حرارت به حداقل برسد. سرعت سوئیچینگ بالا و توان مصرفی 0.5 وات باعث می شود این ماسفت در مدارهای حساس به مصرف انرژی عملکرد مطلوبی داشته باشد. ویژگی هایی مانند مقاومت پایین کانال روشن و سرعت سوئیچینگ بالا باعث کاهش افت ولتاژ و تلفات انرژی در مدار می شود و عملکرد سیستم را بهبود می بخشد.
از جمله کاربردهای مهم این ماسفت می توان به کاربرد FDN306P در پروژه های STM32/ESP32 اشاره کرد که در مدارهای میکروکنترلری برای کنترل جریان و محافظت از سلول های باتری استفاده می شود. این ماسفت یک گزینه ایده آل برای مدارهای باتری محور و دستگاه های قابل حمل است که نیاز به کنترل دقیق جریان و عملکرد پایدار دارند.
در نهایت، ماسفت ماسفت FDN306P یا به طور کامل ماسفت P‑کانال FDN306P با جریان مناسب، ولتاژ کاری 12 ولت و پکیج جمع و جور SOT-23، محصولی مطمئن، کارآمد و قابل اعتماد برای انواع مدارهای الکترونیکی با محدودیت فضا و مصرف انرژی به شمار می رود.
توجه : این کالا شامل مرجوعی نمیباشد
کاربرد :
- مدیریت باتری
- حفاظت از باتری
- سوئیچ بار
- مدارهای میکروکنترلری STM32/ESP32
- مدارهای شارژر و پاور بانک
- کنترل جریان در دستگاه های قابل حمل
مشخصات فنی ماسفت FDN306P :
- ولتاژ کاری کانال (VDSS) : 12 ولت
- جریان کانال حداکثر (ID) : 2.6 آمپر
- مقاومت کانال روشن (RDS(on)) : 40 میلی اهم @ VGS = -4.5 ولت
- مقاومت کانال روشن (RDS(on)) : 50 میلی اهم @ VGS = -2.5 ولت
- مقاومت کانال روشن (RDS(on)) : 80 میلی اهم @ VGS = -1.8 ولت
- ولتاژ گیت برای روشن شدن کانال (VGS(th)) : -0.6 ولت
- توان مصرفی حداکثر (PD) : 0.5 وات
- دمای کاری و ذخیره سازی (TJ , TSTG) : -55 تا +150 درجه سانتی گراد
- مقاومت حرارتی اتصال به محیط (RJA) : 250 درجه سانتی گراد بر وات
- مقاومت حرارتی اتصال به کیس (RJC) : 75 درجه سانتی گراد بر وات
- ظرفیت ورودی (Ciss) : 1138 پیکو فاراد
- ظرفیت خروجی (Coss) : 454 پیکو فاراد
- ظرفیت انتقال معکوس (Crss) : 302 پیکو فاراد
- زمان تاخیر روشن شدن (td(on)) : 11 تا 20 نانو ثانیه
- زمان افزایش روشن شدن (tr) : 10 تا 20 نانو ثانیه
- زمان تاخیر خاموش شدن (td(off)) : 38 تا 61 نانو ثانیه
- زمان افت خاموش شدن (tf) : 35 تا 56 نانو ثانیه
- بار گیت کل (Qg) : 12 تا 17 نانو کولن
- بار گیت به سورس (Qgs) : 2 نانو کولن
- بار گیت به درین (Qgd) : 3 نانو کولن
- جریان دیود درین-سورس حداکثر (IS) : 0.42 آمپر
- ولتاژ دیود درین-سورس (VSD) : 0.6 تا 1.2 ولت
- پکیج : SOT-23
- تکنولوژی ساخت : Trench با قابلیت سوئیچینگ سریع و مقاومت کم کانال روشن
مستندات:
جهت دریافت دیتاشیت به این لینک مراجعه نمایید.