75,470 تومان
در حال حاضر موجود نمی باشد
موجودی در حال ارسال به انبار
-
15 عدد1403/06/19
علاقه مندان : 1 نفر
وضعیت : فعال
تعداد مرجوعی : 0
دنبال کنندگان : 1 نفر
قدمت : 4 سال و 4 ماه و 28 روز
وزن : 1 گرم
کل فروش : 134 عدد
تعداد سفارش ها : 78 سفارش
هنوز هیچ رایی ثبت نشده است
ماسفت SI2302 دارای پکیج SOT23 بسته 100 عددی
ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه رسانا اکسید فلز یا MOSFET از جمله معروف ترین ترانزیستور اثر میدانی در مدارهای آنالوگ و دیجیتال می باشد که دارای توان اتلافی پایین است. این دسته از ترانزیستوها به دلیل دارا بودن قابلیت ذخیره انرژی در سیستم های مدیریت انرژی به طور گسترده مورد استفاده قرار می گیرد.
این محصول که ترانزیستور MOSFET با کانال N و مدل SI2302 است اندازه کوچکی دارد و در کاربردهای مختلفی که فضای مدار باید بهینه باشد، بسیار کاربردی است.
ظاهر این ترانزیستور سه پایه دارد که دو پایه (گیت و سورس) در یک طرف و یک پایه (درین) در طرف دیگر دیده می شود.
کاربرد ترانزیستور ماسفت SI2302:
- مبدل های DC به DC
- راه اندازی گیت IGBT و MOSFET
- راه اندازی موتور
- راه اندازی رله، لامپ
مشخصات ترانزیستور ماسفت SI2302:
- نوع ترانزیستور: ماسفت
- نوع کانال: کانال N
- حداکثر توان اتلافی: 1.25وات
- حداکثر ولتاژ درین- سورس: 20 ولت
- حداکثر ولتاژ گیت سورس: 8 ولت
- حداکثر ولتاژ آستانه گذاری گیت: 1.2 ولت
- حداکثر جریان درین: 2.3 آمپر
- حداکثر دمای اتصال: 150 دارجه سانتی گراد
- زمان رایز: 36 نانو ثانیه
- ظرفیت خازنی درین سورس: 115 پیکو فاراد
- حداکثر مقاومت درین سورس: 0.085 اهم
- بسته بندی: SOT23
- دارای ولتاژ اشباع پایین
مستندات:
دیتاشیت SI2302
Description:
SI2302 is a N Channel Logic level switching MOSFET with SOT23 package.
These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry.
Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally
suited to applications where space is at a premium.
These SI2302 N-Channel MOSFETs are suitable for TTL level switching application.
Applications:
DC - DC converters
MOSFET and IGBT gate driving
Motor drive
Relay, lamp, and solenoid drive
Features:
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 1.25 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 20 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 8 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 1.2 V
Maximum Drain Current |Id|: 2.3 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 36 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 115 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.085 Ohm
Package: SOT23
Higher power dissipation SOT23 package
High peak current
Low saturation voltage