ترانزیستور ماسفت A19T AO3401 کانالP بسته 10عددی

P-A19T-SOT23

6923-335-11162

11,300 تومان
کالا موجود است
موجودی انبار : 87 عدد


خرید کالا


علاقه مندان : -
وضعیت : فعال

تعداد مرجوعی : 0
دنبال کنندگان : -

قدمت : 3 سال و 14 روز
وزن : 2 گرم

کل فروش : 471 عدد
تعداد سفارش ها : 144 سفارش

هنوز هیچ رایی ثبت نشده است
ترانزیستور ماسفت A19T AO3401 کانالP بسته 10عددی
ترانزیستور AO3401 A19T از نوع ماسفت و مدل AO3401 است که بر روی ترانزیستور A19T حک شده است. ماسفت دارای جریان بالایی هستند و این ترانزیستور به دلیل داشتن کانال P بین منبع و تخلیهP-channel MOSFET نامیده می شود. در این مدل، علت ایجاد جریان در ترانزیستور، حفره‌ها هستند. جریان در این ترانزیستور توسط ولتاژ گیت کنترل می‌شود.
بسته بندی و یا پکیج ترانزیستور A19T از نوع SOT23 است.

کاربرد ترانزیستور ماسفت کانال P :

  1. سوئیچینگ
  2. تقویت کننده 

مشخصات  ترانزیستور P-A19T-SOT23 :

  1. نوع ترانزیستور: ماسفت
  2.  کانال ترانزیستور: P
  3. توان اتلافی: 1.4 وات
  4. ولتاژ درین-سورس: 30 ولت
  5. ولتاژ گیت-سورس: 12 ولت
  6. ولتاژ تریشلد گیت: 1.3 ولت
  7. حداکثر جریان درین: 4.2 آمپر
  8. حداکثر دمای اتصال: 150 درجه سانتی گراد
  9. زمان بالارونده: 3.2 نانو ثانیه
  10. ظرفیت خازنی درین-سورس: 115 پیکو فاراد
  11. مقاومت درین-سورس در حالت روشنی: 64 میلی اهم
  12. بسته بندی: SOT-23

مستندات:
دیتاشیت ترانزیستور ماسفت A19T


Description:
A P-Channel MOSFET is a type of MOSFET in which the channel of the MOSFET is composed of a majority of holes as current carriers.
AO3401 is P-MOSFET Transistor, marking AT19. In a P-channel device the conventional flow of drain current is in the negative direction so a negative gate-source voltage is applied to switch the transistor “ON”.

Application:
Load/Power Switching
Interfacing Switching

Features:
Type Designator: AO3401
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P –Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 1.4 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 12 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 1.3 V
Maximum Drain Current |Id|: 4.2 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 3.2 Ns
Drain-Source Capacitance (Cd): 115 Pf
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.064 Ohm
Package: SOT23