ترانزیستور ماسفت SPA11N80C3

SPA11N80C3 Mosfet

7161-335-11439

ترانزیستور ماسفت SPA11N80C3
ترانزیستور ماسفت SPA11N80C3
ترانزیستور ماسفت SPA11N80C3
ترانزیستور ماسفت SPA11N80C3
ترانزیستور ماسفت SPA11N80C3
28,220 تومان
در حال حاضر موجود نمی باشد

موجودی در حال ارسال به انبار


خرید کالا

علاقه مندان : -
وضعیت : فعال

تعداد مرجوعی : 0
دنبال کنندگان : -

قدمت : 3 سال و 2 ماه و 29 روز
وزن : 3 گرم

کل فروش : 210 عدد
تعداد سفارش ها : 34 سفارش

هنوز هیچ رایی ثبت نشده است
ماسفت N-channel 11N80C3 با پکیج TO22OFP

ترانزیستور MOSFET یا Metal Oxide Semiconductor FET یک ترانزیستور اثر میدان با ولتاژ کنترل شده می باشد. این ترانزیستور ها دارای گیت عایق شده هستند یعنی گیت با لایه اکسید سیلیکون از کانال اصلی عبور جریان جدا می شود و هیچ جریانی از گیت نمی گذرد،به همین خاطر ماسفت ها شبیه یک مقاومت کنترل ولتاژ عمل می کند و دارای امپدانس (مقاومت) ورودی فوق العاده زیادی می باشند.

ترانزیستور 11N80C3 از جمله ترانزیستورهای ماسفت با جریان بالاست که از تکنولوژی بالایی برخوردار است و تا جریان 11آمپر می تواند تحمل کند. از این ترانزیستور به علت زمان بالاروندگی پایین که دارد در مدارات سوئیچینگ سرعت بالا استفاده می شود و ویژگی دیگری که دارد پایین بودن ظرفیت خازنی ایجاد شده در گیت است که به 64 نانوفاراد می رسد و وجود ظرفیت پایین گیت سبب شارژ کمتر در ورودی ترانزیستور ماسفت می شود که در فرکانس های بالا تاثیرپذیری کمتری دارد.
ماسفت N-channel 11N80C3 است و ولتاژ درین-سورس 800 ولتی می تواند تحمل کند.


کاربرد ترانزیستور ماسفت SPA11N80C3:

  1. کاربردهای صنعتی 
  2. مدارت افزاینده و کاهنده ولتاژ ثابت 
  3. سوئیچینگ 

مشخصات ترانزیستور ماسفت SPA11N80C3: 

  1. نوع ترانزیستور: MOSFET
  2. کانال نوع N
  3. توان مصرفی: 41 وات
  4. حداکثر ولتاژ درین-سورس: 800 ولت
  5. حداکثر ولتاژ گیت-سورس: 20 ولت
  6. حداکثر ولتاژ آستانه گذاری گیت: 3.9 ولت
  7. حداکثر جریان درین: 11 آمپر
  8. حداکثر دمای اتصال سطح: 150 درجه سانتی گراد
  9. زمان بالارونده: 15 نانو ثانیه
  10. ظرفیت خازنی درین-سورس: 65 پیکو فاراد
  11. حداکثر مقاومت درین-سورس حالت روشن: 0.45 اهم

مستندات:
دیتاشیت SPA11N80C3 Mosfet


Description:
New revolutionary high voltage technology, Extreme dv/dt rated, High peak current capability, Qualified according to JEDEC1) for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant, Ultra low gate charge, Ultra low effective capacitances, Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)

SPA11N80C3 MOSFET Application:
industrial application
high DC bulk voltage
Switching Application

Features:
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 41 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 800 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 3.9 V
Maximum Drain Current |Id|: 11 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 64 nC
Rise Time (tr): 15 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 65 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.45 Ohm
Package: TO220FP