22,430 تومان
کالا موجود استموجودی انبار : 5 عدد
علاقه مندان : -
وضعیت : فعال
تعداد مرجوعی : 0
دنبال کنندگان : -
قدمت : 3 سال و 2 ماه و 20 روز
وزن : 1 گرم
کل فروش : 115 عدد
تعداد سفارش ها : 34 سفارش
هنوز هیچ رایی ثبت نشده است
ماسفت IRF8736 کانال N ولتاژ 30 ولت 18 آمپر با بسته بندی SMD
ترانزیستور ماسفت از جمله ترانزیستورهای جریان بالا به حساب می آید که در سیستم های سوئیچینگ و منابع ولتاژ کاربرد زیادی دارد.
ماسفت 18 آمپری IRT8736 یا ترانزیستور ماسفت قدرت IRF8736TRPBF یک ماسفت با کانال نوع N است و جریان حداکثری درین تا 18 آمپر می تواند افزایش یابد و به طور پیوسته جریان عبوری 14.4 آمپر را تحمل می کند و حداکثر ولتاژ قابل تحمل درین-سورس به 30 ولت می رسد.
مقاومت پایین درین-سورس و میزان ظرفیت شارژ کم این ماسفت IRF8736 کانال N از ویژگی های مهم این ترانزیستور هستند و باعث سرعت بالای آن می شود.
بسته بندی این ترانزیستور 8 پایه و به صورت SMD است.
کاربرد ماسفت IRF8736 N-channel:
- مدیریت انرژی
- کامپیوتر
- مبدل های dc به dc
- سیستم های شبکه ای
مشخصات ماسفت IRF8736 N-channel:
- نوع ترانزیستور: MOSFET
- نوع کانال: N-channel
- حداکثر توان مصرفی: 2.5 وات
- حداکثر ولتاژ درین-سورس: 30 ولت
- حداکثر ولتاژ گیت-سورس: 20 ولت (قدر مطلق)
- ولتاژ آستانه گیت: 2.35 ولت
- حداکثر جریان درین: 18 آمپر
- جریان درین متناوب: 14.4 آمپر
- حداکثر دمای اتصال: 150 درجه سانتی گراد
- زمان بالاروندگی: 15 نانو ثانیه
- حداکثر مقاومت درین-سورس: 0.0048 اهم
- بسته بندی: SOC-8
مستندات:
دیتاشیت IRF8736TRPBF
Description:
The IRF8736PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology.
Very low RDS, Low gate charge are advantages of this power MOSFET transistor.
Application:
Power management
computers
peripherals
Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power
Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems
Features:
Type Designator: IRF8736
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 2.5 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2.35 V
Maximum Drain Current |Id|: 18 A
Continuous Drain Current: 14.4 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 17 nC
Rise Time (tr): 15 nS
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0048 Ohm
Package: SO8