ماسفت P-channel IRLML6402 پکیج SOT-23 بسته 5 عددی

IRLML6402

7574-335-11903

ماسفت P-channel IRLML6402 پکیج SOT-23 بسته 5 عددی
ماسفت P-channel IRLML6402 پکیج SOT-23 بسته 5 عددی
ماسفت P-channel IRLML6402 پکیج SOT-23 بسته 5 عددی
ماسفت P-channel IRLML6402 پکیج SOT-23 بسته 5 عددی
ماسفت P-channel IRLML6402 پکیج SOT-23 بسته 5 عددی
ماسفت P-channel IRLML6402 پکیج SOT-23 بسته 5 عددی
ماسفت P-channel IRLML6402 پکیج SOT-23 بسته 5 عددی
23,780 تومان
کالا موجود است
موجودی انبار : 40 عدد

خرید کالا

علاقه مندان : -
وضعیت : فعال

تعداد مرجوعی : 0
دنبال کنندگان : 1 نفر

قدمت : 1 سال و 7 ماه و 29 روز
وزن : 1 گرم

کل فروش : 77 عدد
تعداد سفارش ها : 48 سفارش

هنوز هیچ رایی ثبت نشده است
ماسفت P-channel IRLML6402 پکیج SOT-23 بسته 5 عددی

ماسفت IRLML6402 از نوع کانال P با پایه های اس ام دی و دارای پکیج SOT-23 است. این ترانزیستور ماسفت دارای ولتاژ درین-سورس 20- ولتی و جریان درین حداکثر 3.3 آمپر در دمای 25 درجه سانتی گراد است و برای سوئیچینگ های سریع استفاده می گردد.

ماسفت P-channel IRLML6402 پکیج SOT-23 مقاومت ورودی درین-سورس 0.45 اهمی دارد و پکیج آن با حداقل فضا، قابلیت دفع گرما دارد. 


کاربرد ماسفت کانال P مدل IRLML6402:

  1. درایور موتور
  2. صنعت
  3. منابع الکتریکی

مشخصات ماسفت کانال P مدل IRLML6402:

  1. نوع پلاریته P-Channel
  2. حداکثر ولتاژ درین-سورس: 20- V
  3. حداکثر جریان درین: -3.7 A
  4. ولتاژ گیت سورس:  ± 12 ولت
  5. حداکثر توان اتلافی در: Ta=25ᵒC 1.3 W
  6. تعداد پایه: 3
  7. پکیج SOT-23
  8. زمان صعود 48 ns
  9. زمان نزول 588 ns
  10. زمان بالا روندگی: 381ns
  11. طول 3.04 mm
  12. عرض 1.4 mm
  13. ارتفاع 1.12 mm
  14. محدوده دمای کاری -55~150 °C

مستندات:
دیتاشیت IRLML6402


Description:

These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management.

A thermally enhanced large pad lead frame has been incorporated into the standard SOT-23 package to produce a HEXFET Power MOSFET with the industry's smallest footprint. This package, dubbed the Micro3™, is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (


Application:
motor driver
industrial application
sources


Features:
VDS Drain- Source Voltage: -20 V
ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V: -3.7
ID @ TA= 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V: -2.2 A
IDM Pulsed Drain Current: -22A
PD @TA = 25°C Power Dissipation: 1.3W
PD @TA = 70°C Power Dissipation: 0.8W
tr Rise Time: 48ns
td(off) Turn-Off Delay Time: 588ns
tf Fall Time: 381ns