ترانزیستور ماسفت IRFZ44N

n-channel IRFZ44N

7834-335-12163

9,890 تومان
کالا موجود است
موجودی انبار : 66 عدد


خرید کالا


علاقه مندان : -
وضعیت : فعال

تعداد مرجوعی : 0
دنبال کنندگان : -

قدمت : 10 ماه و 5 روز
وزن : 2 گرم

کل فروش : 384 عدد
تعداد سفارش ها : 45 سفارش

هنوز هیچ رایی ثبت نشده است
ترانزیستور ماسفت IRFZ44N کانال N

ترانزیستور IRFZ44N ماسفت نوع n-channel است که قابلیت عبور ولتاژ 55 ولت و جریان 49 آمپری دارد و پکیج آن TO-220AB است. 
این ترانزیستور مانند یک سوئیچ و یا کنترل کننده عمل می کند و مقاومت ورودی بالایی دارد و برای مدارات با سرعت سوئیچینگ بالا استفاده می شود و دارای مقاومت حرارتی پایین و مقاومت ورودی کم است.


کاربرد ترانزیستور IRFZ44N: 

  1. اینورترها
  2. کنترل سرعت موتور
  3. مبدل dc به dc
  4. مدارات سوئیچینگ

مشخصات ترانزیستور IRFZ44N:

  1. نوع ترانزیستور: ماسفت
  2. نوع کانال کنترل: N-Channel
  3. حداکثر اتلاف توان (Pd): وات 94
  4. حداکثر ولتاژ منبع تخلیه |Vds|: ولت 55
  5. حداکثر ولتاژ گیت-منبع |Vgs|: ولت 20
  6. حداکثر ولتاژ دروازه-آستانه |Vgs(th)|: ولت 4
  7. حداکثر جریان تخلیه |Id|: آمپر 49
  8. حداکثر دمای اتصال (Tj): درجه سانتیگراد 175
  9. شارژ کل گیت (Qg): (حداکثر) nC 63
  10. زمان افزایش (tr): 60 nS
  11. ظرفیت خازنی منبع تخلیه (Cd): 360 pF
  12. حداکثر مقاومت در حالت منبع تخلیه (Rds): اهم 0.0175
  13. بسته بندی: TO220AB

مستندات:
دیتاشیت IRFZ44N


Description:
Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.


Application:
Inverters
motor speed control
DC/DC Converters
Switching circuits


Specifications:
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N-Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 94 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 55 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 49 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 63(max) nC
Rise Time (tr): 60 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 360 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0175 Ohm
Package: TO220AB