52,260 تومان
در حال حاضر موجود نمی باشد
موجودی در حال ارسال به انبار
-
20 عدد1402/12/14
علاقه مندان : -
وضعیت : فعال
تعداد مرجوعی : 0
دنبال کنندگان : -
قدمت : 1 سال و 10 ماه و 22 روز
وزن : 5 گرم
کل فروش : 60 عدد
تعداد سفارش ها : 26 سفارش
هنوز هیچ رایی ثبت نشده است
آی سی درایور ماسفت و IGBT مدل IR2125
گیت درایور IR2125 یک آی سی درایور ماسفت و IGBT است که برای ماسفت کانال N به کار می رود و در صورت افزایش جریان ورودی روی گیت، جریان را محدود می کند و با ورودی های منطقی استانداردهای CMOS و LSTTL سازگاری دارد.
خروجی درایور یک بافر پالس جریان با دامنه بالا دارد و مدار محافظ جریان زیاد را تشخیص و میزان ولتاژ گیت را محدود می کند و برای راه اندازی ماسفت کانال نوع N، ولتاژ حداکثری 500 ولت استفاده می شود.
این آی سی درایور ماسفت و IGBT مدل IR2125 است و 8 پایه با فرمت dip دارد.
کاربرد آی سی درایور IR2125 :
- درایور ماسفت
- درایور IGBT
مشخصات آی سی درایور IR2125 :
- ولتاژ آفست: حداکثر تا 500 ولت
- جریان خروجی مثبت و منفی: 1 و 2 آمپر
- ولتاژ خروجی: 12 تا 18 ولت
- نوع گیت: IGBT, N-Channel MOSFET
- ولتاژ تغذیه: 0V ~ 18V
- نوع ورودی: مناسب با پلاریته
- ولتاژ ورودی دو سطح بالا و پایین: 0.8V, 2.2V
- لاک اوت شدن در اثر ولتاژ پایین
- تشخیص و محدود کردن جریان
- پکیج آی سی: 8 پین dip
مستندات:
دیتاشیت IR2125
Description:
The IR2125(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with over-current limiting protection circuitry. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 2.5V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The protection circuitry detects over-current in the driven power transistor and limits the gate drive voltage. Cycle by cycle shutdown is programmed by an external capacitor which directly controls the time interval between detection of the over-current limiting conditions and latched shutdown. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high or low side configuration which operates up to 500 volts.
Application:
MOSFET driver
IGBT Driver
Features:
Floating channel designed for bootstrap operation
Voffset: up to 500V
Io+/-: 1A/2A
Vout: 12 ~ 18v
ton/off: 150ns
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply: 0V ~ 18V
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Input Type: Non-Inverting
Undervoltage lockout
Current detection and limiting loop to limit driven
power transistor current
shutdown time
Output in phase with input
2.5V, 5V and 15V input logic compatible
Package: DIP 8pins